SJ 50033.84-1995 半导体分立器件.CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管.详细规范
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ID： |
8A962204BF9345D78866D166D250B7B3 |
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文件大小(MB)： |
0.42 |
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12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/84-1995,半导体分立哭件,CS140型硅N沟道MOS耗尽型,场效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS140 Silicon N-channel,MOS deplition mode field-effect transistor,1995-05-25 发布1995-12-0I 实施,中华人民共和国电子工业部 批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS140型硅N沟道M0S耗尽型SJ 50033/84-1995,场效应晶体管 详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for ty. CS140 Silicon N*channel,MOS deplition mode field-effect transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管（以下简称器件）的详细要,求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,中华人民共和国电子工业部199555-25发布1995-12-01 实施,1,SJ 50033/84-1995,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2. ］引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐或其他合金。引出端表面涂层应为镀金、镀锡或浸锡。对引出端材,料和涂层要求选择或另有要求时,在合同或订单中应明确规定（见6.3）,3.2.2 器件结构,采用硅N沟道MOS耗尽型结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸按GB 758I的A3 - O1B型及如下规定,见图1,引出端极性;,1 .漏极,2 .栅极,3 .源极,-12 —,SJ 50033/84-1995,mm,A3—01B,符号、、ぐ寸,最 小标 称最 大,A 4.32 — 5.33,如一2.54 一,如一1.01,帖2 0.407 — 0.508,軻） 5.31 — 5.84,削4.53 — *95,j 0.92 1.04 1,16,K 0.51 一1.21,L 12.5 -TH- 25.0,L1 — — 1.27,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,p ° ￡ tot,丁尸25セ,(mW),Vds,(V) (V),VGS,(V),Id,(mA),%和,（七）,100 20 ±25 ±25 15 -55- + 150,注:1） Ta>25V时,按0.8mW/V的速率线性降额,3.3.2 主要电特性（77 = 25匕）,参 数,型 号,极 限 值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,Idss (mA) Vds = 10V,Vgs = 0V,CS140D,CS140E,CS140F,CS140G,CS140H,0.05,03,1,3,6,0.35,1.2,3.5,6.5,10,%式。ff） （V） Vos-10 V,/D= IpiA,CS140D,CS140E.F,CS140G.H,一,-1,- 9,丨yj （阿） Vds- 10 V,I'd セ 3mA,/チ 1kHz,所有型号1000 3000,—3,SJ 50033/84-1995,续表,参数,型 号,极 限 值,符号（单位） 测试条件最小值最大值,F (dB) Vre=10V,Jd = Qt5mA,六lk&,&エ 10MA,所有型号5,Gps (四) VDS=10V,/=3OMHz,［ウ=3 mA,所有型号10 —,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,3.6 静电放电保护,本规范适用的各种器件有静电保护的要求（见6.4）。当下述步骤证实时,在B组和C组,中静电放电（ESD）失效的器件不作为整批失效计数,ESD失效电特性:,a.棚一源本体或漏短路（主失效模式）,b. IT"低于100 fls（副失效模式）,ESD目检特性证实1,栅极边缘上小而暗的短路痕迹,b,在扫描电子显微镜（SEM）下观察放电和栅氧化层,在某分组给定的步骤中,若多于两个失效呈现ESD失效判据，那末,需要另外作深入的失,效分析,以验证有缺陷的氧化层不引起该种失效,4质量保证规定,4 .!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1进行,越过本规范表1极,限值的器件应予剔除,4 —,下载,SJ 50033/84-1995,筛 选,(GJB 33 裏 2),测试或试验,3热冲击低温应为ー55匕,高温应为+ 150t,5密封不要求,6高温反偏不要求,7中间测试IcssiUnss和、ス,8电老化Ta = 125V……
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